STB10N95K5, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 950 В, 8 А, 0.65 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
990 шт., срок 9-11 недель
3 830 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
3 260 ֏
от 100 шт. —
2 610 ֏
3 шт.
на сумму 11 490 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
STMicroelectronics SuperMESH High Voltage MOSFETs - Surface Mount
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.65Ом |
| Power Dissipation | 130Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | SuperMESH 5 Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 950В |
| Непрерывный Ток Стока | 8А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 130Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.65Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 15 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 130 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 22 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 800 mOhms |
| Rise Time: | 14 ns |
| Series: | STB10N95K5 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | SuperMESH |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 51 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 950 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Вес, г | 1.38 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 29 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
