STB11NK50ZT4, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 4.5 А, 0.48 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Фото 1/2 STB11NK50ZT4, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 4.5 А, 0.48 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1708 шт., срок 9-11 недель
3 000 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт.2 560 ֏
от 100 шт.2 120 ֏
4 шт. на сумму 12 000 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8614021224
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 500В 10A 125Вт 0,52Ом D Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 10 A
Pd - рассеивание мощности 125 W
Qg - заряд затвора 49 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 480 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 18 ns
Время спада 15 ns
Высота 4.6 mm
Длина 10.4 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 77 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия STB11NK50Z
Технология Si
Тип MOSFET
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 41 ns
Типичное время задержки при включении 14.5 ns
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка / блок TO-263-3
Ширина 9.35 mm
Вес, г 1.2

Техническая документация

Datasheet STB11NK50ZT4
pdf, 393 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 25 сентября1 бесплатно
HayPost 29 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг