STB20NM50T4, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 500 В, 20 А, 0.2 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1985 шт., срок 9-11 недель
6 600 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
5 500 ֏
от 100 шт. —
4 450 ֏
2 шт.
на сумму 13 200 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Standard Products STMicroelectronics Standard Products are a broad range of industry-standard and drop-in replacements for the most popular general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs. The Standard Products are manufactured to the highest quality standards with many AECQ-qualified for automotive applications. A comprehensive set of design aids, including SPICE, IBIS models, and simulation tools, are available to make adding to a design-in easy.
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.2Ом |
| Power Dissipation | 192Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | MDmesh |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
| Непрерывный Ток Стока | 20А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 192Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.2Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 8.5 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 10 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Pd - Power Dissipation: | 192 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 250 mOhms |
| Rise Time: | 16 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 9 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 24 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 299 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 29 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
