STB26N60M2, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 20 А, 0.14 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
![STB26N60M2, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 20 А, 0.14 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172973.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
39 шт., срок 9-11 недель
3 520 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
2 980 ֏
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 14 080 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.14Ом |
Power Dissipation | 169Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | MDmesh M2 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
Непрерывный Ток Стока | 20А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
Рассеиваемая Мощность | 169Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.14Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.35 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 887 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 6 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 10 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг