STB30NF10T4, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 100 В, 15 А, 0.038 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2812 шт., срок 9-11 недель
2 450 ֏
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
2 090 ֏
от 100 шт. —
1 690 ֏
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 12 250 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
The STB30NF10T4 is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET with low gate charge. The device is the latest development of STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. It has extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
• Exceptional dV/dt capability
• 100% Avalanche tested
• Application oriented characterization
• -55 to 175°C Operating junction temperature range
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.038Ом |
| Power Dissipation | 115Вт |
| Квалификация | - |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 15А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 115Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.038Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 10 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 10 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 35 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Pd - Power Dissipation: | 115 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 55 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 38 mOhms |
| Rise Time: | 40 ns |
| Series: | STB30NF10 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 45 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 35 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 45 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 115 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Series | STripFET II |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Width | 9.35mm |
| Вес, г | 1.2 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 6 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 10 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
