STB6NK60ZT4, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 3 А, 1 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3931 шт., срок 9-11 недель
2 760 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
2 360 ֏
от 100 шт. —
1 920 ֏
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 11 040 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 3,8А, 110Вт, D2PAK
Технические параметры
| кол-во в упаковке | 1000 |
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 19 ns |
| Forward Transconductance - Min | 5 S |
| Height | 4.6 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 6 A |
| Length | 10.4 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 110 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.2 Ohms |
| Rise Time | 14 ns |
| RoHS | Details |
| Series | STB6NK60Z |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 47 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 14 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Width | 9.35 mm |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Емкость, пФ | 905 |
| Заряд затвора, нКл | 46 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±30 В |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 600 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 6 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 1200 |
| Мощность | рассеиваемая(max)-110 Вт |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-4 В |
| Описание | N-Channel 600 V 6A(Tc)110W(Tc)Surface Mount D2PAK |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | N |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*36/1000 |
| Упаковка | REEL, 1000 шт. |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 440 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 6 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 10 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
