STB9NK50ZT4, МОП-транзистор, N Канал, 7.2 А, 500 В, 0.72 Ом, 10 В, 3.75 В
![Фото 1/3 STB9NK50ZT4, МОП-транзистор, N Канал, 7.2 А, 500 В, 0.72 Ом, 10 В, 3.75 В](https://static.chipdip.ru/lib/842/DOC033842070.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294584.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/589/DOC018589308.jpg)
992 шт., срок 9-11 недель
1 850 ֏
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт. —
1 590 ֏
от 100 шт. —
1 280 ֏
7 шт.
на сумму 12 950 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 500В, 4,5А, 110Вт, D2PAK Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
кол-во в упаковке | 1000 |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 7.2A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 910pF @ 25V |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
Packaging | Cut Tape(CT) |
Part Status | Not For New Designs |
Power Dissipation (Max) | 110W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850 mOhm @ 3.6A, 10V |
Series | SuperMESHв(ў |
Standard Package | 1 |
Supplier Device Package | D2PAK |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±30V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100ВµA |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 25 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 29 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг