STB9NK50ZT4, МОП-транзистор, N Канал, 7.2 А, 500 В, 0.72 Ом, 10 В, 3.75 В

Фото 1/3 STB9NK50ZT4, МОП-транзистор, N Канал, 7.2 А, 500 В, 0.72 Ом, 10 В, 3.75 В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
992 шт., срок 9-11 недель
1 850 ֏
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт.1 590 ֏
от 100 шт.1 280 ֏
7 шт. на сумму 12 950 ֏
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8561884030
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 500В, 4,5А, 110Вт, D2PAK Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

кол-во в упаковке 1000
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 7.2A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Feature -
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 910pF @ 25V
Manufacturer STMicroelectronics
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB
Packaging Cut Tape(CT)
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 110W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850 mOhm @ 3.6A, 10V
Series SuperMESHв(ў
Standard Package 1
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100ВµA
Вес, г 2.5

Техническая документация

Datasheet STP9NK50Z
pdf, 367 КБ
Datasheet STP9NK50ZFP
pdf, 365 КБ
STB9NK50ZT4
pdf, 370 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 25 сентября1 бесплатно
HayPost 29 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг