STD11N60M6, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 8 А, 0.5 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

224 шт., срок 9-11 недель

2 000 ֏

Мин. кол-во для заказа 6 шт.

от 10 шт. — 1 690 ֏

от 100 шт. — 1 380 ֏

Добавить в корзину 6 шт. на сумму 12 000 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8007355309

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

The STMicroelectronics MDmesh M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs.

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.5Ом
Power Dissipation	90Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	MDmesh M6
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	600В
Непрерывный Ток Стока	8А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	90Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.5Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-252(DPAK)
Channel Mode	Enhancement
Maximum Continuous Drain Current	8 A
Maximum Drain Source Resistance	0.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4.75V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	DPAK(TO-252)
Pin Count	3
Series	STD11N60M6
Transistor Material	Si
Вес, г	0.33