STD20NF06LT4

Фото 1/6 STD20NF06LT4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
24176 шт., срок 9-11 недель
1 680 ֏
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт.1 540 ֏
от 100 шт.1 140 ֏
7 шт. на сумму 11 760 ֏
Альтернативные предложения3
Посмотреть аналоги3
Номенклатурный номер: 8928814257
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 24 A
Maximum Drain Source Resistance 50 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage -18 V, +18 V
Maximum Gate Threshold Voltage 2.5V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 60 W
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type DPAK(TO-252)
Pin Count 3
Series STripFET
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 13 nC @ 10 V
Width 6.2mm
Brand: STMicroelectronics
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Fall Time: 12 ns
Forward Transconductance - Min: 20 S
Id - Continuous Drain Current: 24 A
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: TO-252-3
Pd - Power Dissipation: 60 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 13 nC
Qualification: AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance: 32 mOhms
Rise Time: 50 ns
Series: STD20NF06L
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Type: MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time: 20 ns
Typical Turn-On Delay Time: 11 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1 V
Transistor Polarity N Channel; Continuous Drain Current Id
Вес брутто 0.41
Транспортная упаковка: размер/кол-во 58*46*46/1000

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 413 КБ
Datasheet
pdf, 393 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 25 сентября1 бесплатно
HayPost 29 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг