STD25N10F7, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 100 В, 25 А, 0.027 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4909 шт., срок 9-11 недель
1 900 ֏
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт. —
1 720 ֏
от 100 шт. —
1 270 ֏
6 шт.
на сумму 11 400 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
MOSFET, N-CH, 100V, 25A, 40W, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.027ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.5
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.027Ом |
| Power Dissipation | 40Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | STripFET VII DeepGATE |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 25А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 40Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.027Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand | STMicroelectronics |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Fall Time | 4.6 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 25 A |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 40 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 14 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 35 mOhms |
| Rise Time | 14 ns |
| RoHS | Details |
| Series | N-channel STripFET |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 14.8 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 9.8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4.5 V |
| Вес, г | 0.35 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1281 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 29 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
