STD30NF06LT4, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 35 А, 0.022 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
79964 шт., срок 9-11 недель
1 720 ֏
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт. —
1 460 ֏
от 100 шт. —
1 200 ֏
7 шт.
на сумму 12 040 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 25А, 70Вт, DPAK
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.022Ом |
Power Dissipation | 70Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 2.5В |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 35А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 1.7В |
Рассеиваемая Мощность | 70Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.022Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Continuous Drain Current | 35 A |
Maximum Drain Source Resistance | 28 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 70 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Series | STripFET |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 23 nC @ 5 V |
Width | 6.2mm |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Fall Time: | 25 ns |
Forward Transconductance - Min: | 25 S |
Id - Continuous Drain Current: | 35 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-252-3 |
Pd - Power Dissipation: | 70 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 31 nC |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 22 mOhms |
Rise Time: | 105 ns |
Series: | STD30NF06L |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 65 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
Вес, г | 0.66 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 857 КБ
Datasheet
pdf, 836 КБ
Datasheet STD30NF06LT4
pdf, 464 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 25 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 29 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг