STD8N80K5, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 800 В, 6 А, 0.8 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
![Фото 1/3 STD8N80K5, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 800 В, 6 А, 0.8 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172973.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/064/DOC006064799.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/614/DOC010614878.jpg)
4988 шт., срок 9-11 недель
2 980 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
2 540 ֏
от 100 шт. —
2 090 ֏
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 11 920 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Новейшие технологии в силовых MOSFET и IGBT STMicroelectronics предлагает новейшие технологии в Power MOSFET и IGBT. ST предлагает широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов, адаптированных к вашему конкретному применению, ориентированных на SMPS, освещение, управление двигателями и различные промышленные приложения. Портфель ST 'включает высоковольтные полевые МОП-транзисторы с суперпереходом и полевые транзисторы IGBT с траншейным затвором для жестких и мягких коммутируемых топологий, а также низковольтные траншейные полевые МОП-транзисторы для преобразования мощности и приводы двигателей BLDC. Последние SiC MOSFET на 1200 В компании ST сочетают в себе самый высокий в отрасли рейтинг температуры перехода 200 ° C с очень низкой площадью RDS (включено) (с минимальным отклонением от температуры) и отличными коммутационными характеристиками для более эффективных и компактных конструкций SMPS. Для управления двигателем IGBT серии M предлагают оптимизированный компромисс между VCE (SAT) и E (выкл.), А также надежный рейтинг короткого замыкания. Ознакомьтесь с полным ассортиментом полевых МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов ST для любых силовых схем.
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.8Ом |
Power Dissipation | 110Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | MDmesh K5 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
Непрерывный Ток Стока | 6А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 110Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.8Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Fall Time: | 20 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-252-3 |
Pd - Power Dissipation: | 110 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 16.5 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 950 mOhms |
Rise Time: | 14 ns |
Series: | STD8N80K5 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | MDmesh |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 32 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 6 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 950@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 800 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 110000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 2 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Process Technology | SuperMESH |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO-252 |
Supplier Package | DPAK |
Supplier Temperature Grade | Industrial |
Tab | Tab |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 13 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 13@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 450@100V |
Вес, г | 0.35 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 6 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 10 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг