STD95N4F3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 40 В, 80 А, 0.005 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5249 шт., срок 9-11 недель
2 090 ֏
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт. —
1 780 ֏
от 100 шт. —
1 450 ֏
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 12 540 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
MOSFET, N-CH, 40V, 80A, 110W, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.005ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V;
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.005Ом |
| Power Dissipation | 110Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | STripFET III |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Непрерывный Ток Стока | 80А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 110Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.005Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Fall Time | 15 ns |
| Height | 2.4 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 80 A |
| Length | 6.6 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 110 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 5.8 mOhms |
| Rise Time | 50 ns |
| RoHS | Details |
| Series | N-channel STripFET |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 40 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 15 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Width | 6.2 mm |
| Вес, г | 0.35 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 833 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 6 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 10 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
