STD96N3LLH6, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 30 В, 80 А, 0.0037 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
![STD96N3LLH6, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 30 В, 80 А, 0.0037 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172284.jpg)
см. техническую документацию
Описание
STD96N3LLH6 is a N-channel power MOSFET that utilizes the 6th generation of design rules of ST's proprietary STripFET™ technology, with a new gate structure. Applications include switching applications, automotive.
• Extremely low on-resistance RDS(on), high avalanche ruggedness
• Low gate drive power losses
• 30V minimum drain-source breakdown voltage (ID = 250µA, VGS= 0, TCASE = 25°C)
• 0.0042ohm maximum static drain-source on resistance (VGS = 10V, ID = 40A, TCASE = 25°C)
• 80A drain current (continuous) at TC = 25°C
• 1 to 2.5V gate threshold voltage range (VDS = VGS, ID = 250µA, TCASE = 25°C)
• 2200pF typical input capacitance (VDS = 25V, f=1MHz, VGS = 0, TCASE = 25°C)
• 400pF typical output capacitance (VDS = 25V, f=1MHz, VGS = 0, TCASE = 25°C)
• 280pF typical reverse transfer capacitance (VDS = 25V, f=1MHz, VGS = 0, TCASE = 25°C)
• DPAK package
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.0037Ом |
Power Dissipation | 70Вт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | STripFET VI DeepGATE |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
Непрерывный Ток Стока | 80А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
Рассеиваемая Мощность | 70Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0037Ом |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Category | Discrete Semiconductor Products |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25&C | 80A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Family | FETs-Single |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2200pF @ 25V |
Mounting Type | Surface Mount |
Other Names | 497-11214-1 |
Other Related Documents | STD96N3LLH6 View All Specifications |
Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
Packaging | Cut Tape(CT) |
Power - Max | 70W |
Product Training Modules | Automotive Grade Transistors and Discretes |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 40A, 10V |
Series | DeepGATE&, STripFET& VI |
Standard Package | 1 |
Supplier Device Package | DPAK-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250&A |
Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 6 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 10 сентября1 | 1 650 ֏2 |