STD96N3LLH6, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 30 В, 80 А, 0.0037 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount

STD96N3LLH6, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 30 В, 80 А, 0.0037 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
19105 шт., срок 9-11 недель
1 380 ֏
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
от 10 шт.1 250 ֏
от 100 шт.920 ֏
Добавить в корзину 9 шт. на сумму 12 420 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8003294593
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

STD96N3LLH6 is a N-channel power MOSFET that utilizes the 6th generation of design rules of ST's proprietary STripFET™ technology, with a new gate structure. Applications include switching applications, automotive.

• Extremely low on-resistance RDS(on), high avalanche ruggedness
• Low gate drive power losses
• 30V minimum drain-source breakdown voltage (ID = 250µA, VGS= 0, TCASE = 25°C)
• 0.0042ohm maximum static drain-source on resistance (VGS = 10V, ID = 40A, TCASE = 25°C)
• 80A drain current (continuous) at TC = 25°C
• 1 to 2.5V gate threshold voltage range (VDS = VGS, ID = 250µA, TCASE = 25°C)
• 2200pF typical input capacitance (VDS = 25V, f=1MHz, VGS = 0, TCASE = 25°C)
• 400pF typical output capacitance (VDS = 25V, f=1MHz, VGS = 0, TCASE = 25°C)
• 280pF typical reverse transfer capacitance (VDS = 25V, f=1MHz, VGS = 0, TCASE = 25°C)
• DPAK package

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.0037Ом
Power Dissipation 70Вт
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции STripFET VI DeepGATE
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 30В
Непрерывный Ток Стока 80А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 2.5В
Рассеиваемая Мощность 70Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0037Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора TO-252(DPAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Category Discrete Semiconductor Products
Current - Continuous Drain (Id) @ 25&C 80A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Family FETs-Single
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2200pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Other Names 497-11214-1
Other Related Documents STD96N3LLH6 View All Specifications
Package / Case TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63
Packaging Cut Tape(CT)
Power - Max 70W
Product Training Modules Automotive Grade Transistors and Discretes
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOhm @ 40A, 10V
Series DeepGATE&, STripFET& VI
Standard Package 1
Supplier Device Package DPAK-3
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250&A
Вес, г 0.33

Техническая документация

Datasheet
pdf, 936 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 6 сентября1 бесплатно
HayPost 10 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг