STD9N65M2, MOSFET, N CHANNEL, 650V, 5A, TO-252-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1538 шт., срок 9-11 недель
1 520 ֏
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт. —
1 290 ֏
от 100 шт. —
1 040 ֏
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 12 160 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
• Excellent output capacitance (COSS) profile
• 100% Avalanche tested
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.79Ом |
Power Dissipation | 60Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
Непрерывный Ток Стока | 5А |
Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Datasheet STP9N65M2
pdf, 801 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 6 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 10 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг