STF11NM80, МОП-транзистор, N Канал, 11 А, 800 В, 0.35 Ом, 10 В, 4 В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2177 шт., срок 9-11 недель
5 800 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
4 890 ֏
от 100 шт. —
3 970 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 11 600 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Описание Транзистор полевой STF11NM80 от STMicroelectronics – надежный компонент для мощных электронных схем. Предназначенный для монтажа THT, данный N-MOSFET транзистор обладает током стока 11 А и напряжением сток-исток 800 В, что делает его подходящим для высоковольтных применений. Мощность устройства составляет 35 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,4 Ом, обеспечивает эффективную работу и минимизацию потерь энергии. Продукт заключен в прочный корпус TO220FP, который гарантирует долговечность и стабильность в эксплуатации. Ищите STF11NM80 для создания надежных и мощных электронных устройств. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 11 |
Напряжение сток-исток, В | 800 |
Мощность, Вт | 35 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.4 |
Корпус | TO220FP |
Технические параметры
кол-во в упаковке | 50 |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
Maximum Drain Source Resistance | 400 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 35 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Minimum Operating Temperature | -65 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220FP |
Pin Count | 3 |
Series | MDmesh |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 43.6 nC @ 10 V |
Width | 4.6mm |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 15 ns |
Forward Transconductance - Min: | 8 S |
Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 35 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 43.6 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 400 mOhms |
Rise Time: | 17 ns |
Series: | STF11NM80 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | MDmesh |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 46 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 11A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43.6nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1630pF @ 25V |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Operating Temperature | -65В°C ~ 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 35W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 5.5A, 10V |
Standard Package | 50 |
Supplier Device Package | TO-220FP |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±30V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 6 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 10 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг