STF27N60M2-EP, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 20 А, 0.15 Ом, TO-220FP, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
976 шт., срок 9-11 недель
2 980 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
2 580 ֏
от 100 шт. —
2 120 ֏
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 11 920 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
MDmesh™ II Power MOSFETsSTMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between R DS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.15Ом |
| Power Dissipation | 30Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | MDmesh M2 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 20А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 30Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.15Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 6.3 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 30 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 33 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 163 mOhms |
| Rise Time: | 8.1 ns |
| Series: | STF27N60M2-EP |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 55.6 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13.4 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Вес, г | 1.9 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 525 КБ
Datasheet STF27N60M2-EP
pdf, 659 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 6 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 10 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
