STF6N65M2, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 4 А, 1.2 Ом, TO-220FP, Through Hole

STF6N65M2, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 4 А, 1.2 Ом, TO-220FP, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1968 шт., срок 9-11 недель
1 560 ֏
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт.1 380 ֏
от 100 шт.1 040 ֏
Добавить в корзину 8 шт. на сумму 12 480 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8040906598
Бренд: STMicroelectronics

Описание

МОП-транзистор N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in TO-220FP package

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 4 A
Pd - рассеивание мощности 20 W
Qg - заряд затвора 9.8 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.35 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
Vgs - напряжение затвор-исток 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 7 ns
Время спада 20 ns
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение MDmesh
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Продукт Power MOSFET
Размер фабричной упаковки 1000
Серия STF6N65M2
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 6.5 ns
Типичное время задержки при включении 19 ns
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Вес, г 2

Техническая документация

Datasheet STF6N65M2
pdf, 715 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 6 сентября1 бесплатно
HayPost 10 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг