STF6N65M2, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 4 А, 1.2 Ом, TO-220FP, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1968 шт., срок 9-11 недель
1 560 ֏
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт. —
1 380 ֏
от 100 шт. —
1 040 ֏
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 12 480 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
МОП-транзистор N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in TO-220FP package
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
Pd - рассеивание мощности | 20 W |
Qg - заряд затвора | 9.8 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.35 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 7 ns |
Время спада | 20 ns |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | MDmesh |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Продукт | Power MOSFET |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STF6N65M2 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 6.5 ns |
Типичное время задержки при включении | 19 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet STF6N65M2
pdf, 715 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 6 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 10 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг