Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STF7N105K5, Силовой МОП-транзистор, N Канал ...

STF7N105K5, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 1.05 кВ, 4 А, 1.4 Ом, TO-220FP, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1205 шт., срок 9-11 недель

3 120 ֏

Мин. кол-во для заказа 4 шт.

от 10 шт. — 2 670 ֏

от 100 шт. — 2 230 ֏

Добавить в корзину 4 шт. на сумму 12 480 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8446833712

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

MDmesh K5 Power MOSFETs
STMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best R DS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Fall Time:	25 ns
Id - Continuous Drain Current:	4 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-220-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	25 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	17 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	1.4 Ohms
Rise Time:	7 ns
Series:	STF7N105K5
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	MDmesh
Transistor Polarity:	N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	43 ns
Typical Turn-On Delay Time:	17.5 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	1.05 kV
Vgs - Gate-Source Voltage:	-30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Вес, г	2.3