STF8NK100Z, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 1 кВ, 6.5 А, 1.6 Ом, TO-220FP, Through Hole

Фото 1/5 STF8NK100Z, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 1 кВ, 6.5 А, 1.6 Ом, TO-220FP, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
456 шт., срок 9-11 недель
5 300 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт.4 540 ֏
от 100 шт.3 580 ֏
Добавить в корзину 3 шт. на сумму 15 900 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8224530958
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 6.5 A
Maximum Drain Source Resistance 1.85 Ω
Maximum Drain Source Voltage 1000 V
Maximum Gate Source Voltage -30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4.5V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 40 W
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-220FP
Pin Count 3
Series MDmesh, SuperMESH
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 102 nC @ 10 V
Width 4.6mm
Automotive No
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Lead Shape Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A) 6.5
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 1850@10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 1000
Maximum Gate Source Voltage (V) ±30
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 40000
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Through Hole
Packaging Tube
Part Status Active
PCB changed 3
PPAP No
Process Technology SuperMESH
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name TO
Supplier Package TO-220FP
Supplier Temperature Grade Industrial
Tab Tab
Typical Fall Time (ns) 30
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 73
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 73@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 2180@25V
Typical Rise Time (ns) 19
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 59
Typical Turn-On Delay Time (ns) 28
Brand: STMicroelectronics
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1000
Fall Time: 30 ns
Forward Transconductance - Min: 7 S
Id - Continuous Drain Current: 6.5 A
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 40 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 102 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 1.6 Ohms
Rise Time: 19 ns
Series: STF8NK100Z
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: SuperMESH
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Type: MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time: 59 ns
Typical Turn-On Delay Time: 28 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1 kV
Vgs - Gate-Source Voltage: -30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V
Вес, г 2.268

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 294 КБ
Datasheet
pdf, 278 КБ
Datasheet
pdf, 276 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 6 сентября1 бесплатно
HayPost 10 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг