STF8NK100Z, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 1 кВ, 6.5 А, 1.6 Ом, TO-220FP, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
456 шт., срок 9-11 недель
5 300 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
4 540 ֏
от 100 шт. —
3 580 ֏
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 15 900 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 6.5 A |
Maximum Drain Source Resistance | 1.85 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 1000 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 40 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220FP |
Pin Count | 3 |
Series | MDmesh, SuperMESH |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 102 nC @ 10 V |
Width | 4.6mm |
Automotive | No |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Lead Shape | Through Hole |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 6.5 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1850@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 1000 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 40000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
PPAP | No |
Process Technology | SuperMESH |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO |
Supplier Package | TO-220FP |
Supplier Temperature Grade | Industrial |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 30 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 73 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 73@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2180@25V |
Typical Rise Time (ns) | 19 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 59 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 28 |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 30 ns |
Forward Transconductance - Min: | 7 S |
Id - Continuous Drain Current: | 6.5 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 40 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 102 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.6 Ohms |
Rise Time: | 19 ns |
Series: | STF8NK100Z |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | SuperMESH |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 59 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 28 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1 kV |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Вес, г | 2.268 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 6 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 10 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг