STFW4N150, Транзистор Mosfet PowerMESH, N-канал, 1500 В, 5 Ом, 4А, [TO-3PF]
![Фото 1/3 STFW4N150, Транзистор Mosfet PowerMESH, N-канал, 1500 В, 5 Ом, 4А, [TO-3PF]](https://static.chipdip.ru/lib/326/DOC001326424.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/331/DOC024331247.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/558/DOC045558498.jpg)
81 шт. с центрального склада, срок 9 дней
5 800 ֏
от 3 шт. —
5 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 800 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1500 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7 Ом/2А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 63 | |
Крутизна характеристики, S | 3.5 | |
Корпус | to-3pf | |
Пороговое напряжение на затворе | 3…5 | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 736 КБ
STFW4N150, STP4N150, STW4N150
pdf, 753 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 12 июля1 | бесплатно |
HayPost | 16 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг