STGB40H65FB, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.6 В, 283 Вт, 650 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1963 шт., срок 9-11 недель
4 010 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
3 390 ֏
от 100 шт. —
2 710 ֏
3 шт.
на сумму 12 030 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar TransistorsSTMicroelectronics HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine a very low saturation voltage (down to 1.6V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C. This enhances the efficiency of high-frequency applications (up to 100kHz) and leverages the advanced proprietary Trench Gate Field-Stop (TGFS) structure.
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 80А |
Power Dissipation | 283Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | 650V HB |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 80 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Gate-Emitter Leakage Current: | +/-250 nA |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | D2PAK-3 |
Pd - Power Dissipation: | 283 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Series: | STGB40H65FB |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Collector Current (Ic) | 80A |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 650V |
Power Dissipation (Pd) | 283W |
Turn?off Switching Loss (Eoff) | 0.363mJ |
Turn?on Switching Loss (Eon) | 0.498mJ |
Type | FS(Field Stop) |
Вес, г | 1.38 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 25 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 29 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг