STGF10NC60KD, Транзистор IGBT 600В 9А 25Вт [TO-220FP]
![Фото 1/6 STGF10NC60KD, Транзистор IGBT 600В 9А 25Вт [TO-220FP]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412892.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/639/DOC021639245.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/844/DOC034844308.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/173/DOC006173607.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/571/DOC006571451.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/478/DOC021478587.jpg)
125 шт. с центрального склада, срок 9 дней
1 420 ֏
от 15 шт. —
1 350 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 420 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT
Технические параметры
Технология/семейство | PowerMESH | |
Наличие встроенного диода | Да | |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 | |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 9 | |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 30 | |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 | |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 25 | |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 17 | |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 72 | |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 | |
Корпус | TO-220FP | |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 579 КБ
Datasheet
pdf, 1466 КБ
Datasheet STGF10NC60KD
pdf, 1333 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 12 июля1 | бесплатно |
HayPost | 16 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг