STGP10M65DF2, БТИЗ транзистор, 20 А, 1.55 В, 115 Вт, 650 В, TO-220, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
624 шт., срок 9-11 недель
970 ֏
Мин. кол-во для заказа 12 шт.
от 100 шт. —
880 ֏
12 шт.
на сумму 11 640 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Технические параметры
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STGP10M65DF2 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Channel Type | N |
Energy Rating | 0.66mJ |
Gate Capacitance | 840pF |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 20 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 115 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Automotive | No |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Lead Shape | Through Hole |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 650 |
Maximum Continuous Collector Current (A) | 20 |
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 250 |
Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 115 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
PPAP | No |
Standard Package Name | TO |
Supplier Package | TO-220AB |
Supplier Temperature Grade | Industrial |
Tab | Tab |
Technology | Field Stop|Trench |
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.55 |
Case | TO220AB |
Collector current | 10A |
Collector-emitter voltage | 650V |
Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Gate charge | 28nC |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Power dissipation | 115W |
Pulsed collector current | 40A |
Type of transistor | IGBT |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 804 КБ
Datasheet STGP10M65DF2
pdf, 782 КБ
Datasheet STGP10M65DF2
pdf, 544 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 25 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 29 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг