STGW20NC60VD, Транзистор IGBT 600В 30А 200Вт [TO-247]
![Фото 1/7 STGW20NC60VD, Транзистор IGBT 600В 30А 200Вт [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307886.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/179/DOC007179527.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758128.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/866/DOC006866157.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/065/DOC027065793.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/253/DOC029253762.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/253/DOC029253766.jpg)
17 шт. со склада г.Ереван, Сегодня
233 шт. с центрального склада, срок 9 дней
3 340 ֏
2 230 ֏
от 15 шт. —
2 210 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 230 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
Технические параметры
Технология/семейство | PowerMESH | |
Наличие встроенного диода | Да | |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 | |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 60 | |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 150 | |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 | |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 200 | |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 31 | |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 100 | |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 | |
Корпус | TO-247 | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | Сегодня1 | бесплатно |
HayPost | 7 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг