Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ST Microelectronics › STGW20V60DF, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.8 В ...

STGW20V60DF, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.8 В, 167 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

534 шт., срок 9-11 недель

4 000 ֏

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 10 шт. — 3 430 ֏

от 100 шт. — 2 710 ֏

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 12 000 ֏

Альтернативные предложения4

Номенклатурный номер: 8000246946

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные

IGBT Trench Field Stop 600V 40A 167W сквозное отверстие TO-247

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage	1.8В
Collector Emitter Voltage Max	600В
Continuous Collector Current	40А
Power Dissipation	167Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	V
Максимальная Рабочая Температура	175 C
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Base Product Number	STGW20 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	40A
Current - Collector Pulsed (Icm)	80A
ECCN	EAR99
Gate Charge	116nC
HTSUS	8541.29.0095
IGBT Type	Trench Field Stop
Input Type	Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-247-3
Power - Max	167W
REACH Status	REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)	40ns
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-247
Switching Energy	200ВµJ (on), 130ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C	38ns/149ns
Test Condition	400V, 20A, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.2V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Brand:	STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	2.3 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current at 25 C:	40 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	600
Gate-Emitter Leakage Current:	250 nA
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage:	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	TO-247
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	167 W
Product Category:	IGBT Transistors
Product Type:	IGBT Transistors
Series:	STGW20V60DF
Subcategory:	IGBTs
Technology:	Si
Channel Type	N
Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Continuous Collector Current	40 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	167 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Switching Speed	1MHz
Transistor Configuration	Single
Вес, г	6.7