STGW30NC60KD, БТИЗ транзистор, 60 А, 2.1 В, 200 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1792 шт., срок 9-11 недель

8 000 ֏

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 10 шт. — 6 700 ֏

от 100 шт. — 5 500 ֏

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 16 000 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8000416013

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные

Описание Транзистор: IGBT, 600В, 28А, 200Вт, TO247-3 Характеристики

Collector Emitter Saturation Voltage	2.1В
Collector Emitter Voltage Max	600В
Continuous Collector Current	60А
Power Dissipation	200Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Channel Type	N
Energy Rating	1435mJ
Gate Capacitance	2170pF
Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Continuous Collector Current	60 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	200 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Brand:	STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	2.1 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current at 25 C:	60 A
Continuous Collector Current Ic Max:	60 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	600
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage:	-20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	TO-247-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	200 W
Product Category:	IGBT Transistors
Product Type:	IGBT Transistors
Series:	STGW30NC60KD
Subcategory:	IGBTs
Technology:	Si
Вес, г	8.5