STGW38IH130D, Биполярный транзистор IGBT, 20 КГц, 33 А, 1300 В
![Фото 1/4 STGW38IH130D, Биполярный транзистор IGBT, 20 КГц, 33 А, 1300 В](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307886.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/179/DOC007179527.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/744/DOC043744371.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/866/DOC006866157.jpg)
Цена и сроки поставки по запросу
930 ֏
от 15 шт. —
910 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 930 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор IGBT TO-247 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Технология/семейство | PowerMESH | |
Наличие встроенного диода | Да | |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1300 | |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 63 | |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 125 | |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.8 | |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 250 | |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 284 | |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 | |
Корпус | TO-247 | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet STGW38IH130D
pdf, 815 КБ
STGW38IH130D
pdf, 816 КБ