Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ST Microelectronics › STGW60V60F, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.85 В ...

STGW60V60F, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.85 В, 375 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

597 шт., срок 9-11 недель

6 000 ֏

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 10 шт. — 4 940 ֏

от 100 шт. — 4 000 ֏

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 12 000 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8003293266

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные

IGBT V Series
STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage	1.85В
Collector Emitter Voltage Max	600В
Continuous Collector Current	80А
Power Dissipation	375Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	600V V
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Brand:	STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	2.35 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current at 25 C:	80 A
Continuous Collector Current Ic Max:	60 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	600
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage:	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	TO-247-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	375 W
Product Category:	IGBT Transistors
Product Type:	IGBT Transistors
Series:	STGW60V60F
Subcategory:	IGBTs
Technology:	Si
Вес, г	4.43