STGW75H65DFB2-4, БТИЗ транзистор, 115 А, 1.55 В, 357 Вт, 650 В, TO-247, 4 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
37 шт., срок 9-11 недель
6 900 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
6 400 ֏
от 10 шт. —
5 800 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 13 800 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 115А |
| Power Dissipation | 357Вт |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | HB2 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 600 |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Base Product Number | STGW75 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 115A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 225A |
| ECCN | EAR99 |
| Gate Charge | 207nC |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Power - Max | 357W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Reverse Recovery Time (trr) | 88ns |
| Series | HB2 -> |
| Supplier Device Package | TO-247-4 |
| Switching Energy | 992ВµJ (on), 766ВµJ (off) |
| Td (on/off) @ 25В°C | 22ns/121ns |
| Test Condition | 400V, 75A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 115 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 357 W |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 4.43 |
Техническая документация
Datasheet STGW75H65DFB2-4
pdf, 326 КБ
Datasheet STGW75H65DFB2-4
pdf, 314 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 6 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 10 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
