STL42P4LLF6, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 40 В, 42 А, 0.0105 Ом, PowerFLAT, Surface Mount

Фото 1/2 STL42P4LLF6, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 40 В, 42 А, 0.0105 Ом, PowerFLAT, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
33 шт., срок 9-11 недель
1 870 ֏
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт.1 600 ֏
Добавить в корзину 6 шт. на сумму 11 220 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8001803133
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Channel Type P Channel
Drain Source On State Resistance 0.0105Ом
Power Dissipation 75Вт
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Линейка Продукции STripFET F6
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 40В
Непрерывный Ток Стока 42А
Полярность Транзистора P Канал
Пороговое Напряжение Vgs 2.5В
Рассеиваемая Мощность 75Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0105Ом
Стиль Корпуса Транзистора PowerFLAT
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Brand STMicroelectronics
Channel Mode Enhancement
Configuration 1 P-Channel
Factory Pack Quantity 3000
Fall Time 19 ns
Id - Continuous Drain Current -42 A
Manufacturer STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature +175 C
Mounting Style SMD/SMT
Number of Channels 1 Channel
Package / Case PowerFLAT-5x6-8
Packaging Reel
Pd - Power Dissipation 75 W
Product Category MOSFET
Qg - Gate Charge 22 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 10.5 mOhms
Rise Time 47 ns
RoHS Details
Series P-channel STripFET
Technology Si
Transistor Polarity P-Channel
Transistor Type 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 148 ns
Typical Turn-On Delay Time 43 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage -40 V
Vgs - Gate-Source Voltage +/-20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage -2.5 V
Brand: STMicroelectronics
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Fall Time: 19 ns
Id - Continuous Drain Current: 42 A
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: PowerFLAT-5x6-8
Pd - Power Dissipation: 75 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 22 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 10.5 mOhms
Rise Time: 47 ns
Series: STL42P4LLF6
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: STripFET
Transistor Polarity: P-Channel
Transistor Type: 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 148 ns
Typical Turn-On Delay Time: 43 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 40 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.5 V
Вес, г 0.35

Техническая документация

Datasheet
pdf, 817 КБ
Datasheet STL42P4LLF6
pdf, 439 КБ
Документация
pdf, 830 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 6 сентября1 бесплатно
HayPost 10 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг