STP10NK80ZFP, Транзистор MOSFET N-CH 800V 9A [TO-220FP]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
184 шт. с центрального склада, срок 8 дней
3 520 ֏
2 350 ֏
от 15 шт. —
2 230 ֏
1 шт.
на сумму 2 350 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Описание Транзистор полевой STP10NK80ZFP от STMicroelectronics - надежный компонент для проектов, требующих высокого напряжения и тока. Модель STP10NK80ZFP, выполненная в корпусе TO220FP, предназначена для монтажа THT. Этот полевой N-MOSFET транзистор способен управлять током стока до 9 А и работать при напряжении сток-исток до 800 В. Эффективность его работы подтверждается мощностью 40 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,9 Ом. Идеален для применения в источниках питания, преобразователях и других устройствах, где требуется высокая напряженность и надежность. Компонент STP10NK80ZFP гарантирует высокое качество и производительность, характерные для продукции STMicroelectronics. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 9 |
Напряжение сток-исток, В | 800 |
Мощность, Вт | 40 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.9 |
Корпус | TO220FP |
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.9 Ом/4.5А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 40 | |
Крутизна характеристики, S | 9.6 | |
Корпус | TO-220FP | |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 439 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 438 КБ
Datasheet STP10NK80ZFP
pdf, 439 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 31 июля1 | бесплатно |
HayPost | 4 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг