STP120NF10, Транзистор MOSFET N-канал 100В 110А [TO-220]
![Фото 1/4 STP120NF10, Транзистор MOSFET N-канал 100В 110А [TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/611/DOC005611181.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/879/DOC043879291.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/452/DOC004452314.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/050/DOC024050867.jpg)
533 шт. с центрального склада, срок 9 дней
1 940 ֏
1 720 ֏
от 15 шт. —
1 650 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 720 ֏
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги1
Описание
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 120 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0105 Ом/60А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 312 | |
Корпус | to-220 | |
Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1031 КБ
Datasheet
pdf, 940 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet STP120NF10
pdf, 380 КБ
STB120NF10T4, STP120NF10, STW120NF10
pdf, 825 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 12 июля1 | бесплатно |
HayPost | 16 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг