STP13NM60ND, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 11 А, 0.32 Ом, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
100 шт., срок 9-11 недель
2 050 ֏
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт. —
2 000 ֏
от 100 шт. —
1 870 ֏
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 12 300 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
N-канал 600V 11A (Tc) 109W (Tc) сквозное отверстие TO-220
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.32Ом |
Power Dissipation | 109Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | FDmesh II |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
Непрерывный Ток Стока | 11А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 109Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.32Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
Base Product Number | STP13 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 11A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.5nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 845pF @ 50V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-220-3 |
Power Dissipation (Max) | 109W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 5.5A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | FDmeshв„ў II -> |
Supplier Device Package | TO-220 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±25V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
Brand | STMicroelectronics |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 15.4 ns |
Id - Continuous Drain Current | 11 A |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 109 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 24.5 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 380 mOhms |
Rise Time | 10 ns |
RoHS | Details |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 9.6 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 46.5 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
Вес, г | 0.35 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 6 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 10 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг