STP15N60M2-EP, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 11 А, 0.34 Ом, TO-220AB, Through Hole
![Фото 1/2 STP15N60M2-EP, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 11 А, 0.34 Ом, TO-220AB, Through Hole](https://static.chipdip.ru/lib/173/DOC012173406.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/195/DOC017195402.jpg)
914 шт., срок 9-11 недель
1 740 ֏
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт. —
1 470 ֏
от 100 шт. —
1 210 ֏
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 12 180 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
N-канал 600V 11A (Tc) 110W (Tc) сквозное отверстие TO-220
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.34Ом |
Power Dissipation | 110Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | MDmesh M2 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
Непрерывный Ток Стока | 11А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 110Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.34Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
Base Product Number | STP15 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 11A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 590pF @ 100V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-220-3 |
Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 378mOhm @ 5.5A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | MDmeshв„ў M2-EP -> |
Supplier Device Package | TO-220 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±25V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 15 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 110 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 17 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 378 mOhms |
Rise Time: | 10 ns |
Series: | STP15N60M2-EP |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | MDmesh |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Вес, г | 1.9 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 6 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 10 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг