STP28NM50N, МОП-транзистор, N Канал, 21 А, 500 В, 0.135 Ом, 10 В, 3 В

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

996 шт., срок 9-11 недель

7 000 ֏

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 10 шт. — 5 900 ֏

от 100 шт. — 4 800 ֏

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 14 000 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8708521619

Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ ||, полевой, 550В, 21А, 150Вт Характеристики

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	21 A
Maximum Drain Source Resistance	158 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	500 V
Maximum Gate Source Voltage	-25 V, +25 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	150 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220
Pin Count	3
Series	MDmesh
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	50 nC @ 10 V
Width	4.6mm
Brand	STMicroelectronics
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	50
Fall Time	52 ns
Forward Transconductance - Min	1.5 V
Id - Continuous Drain Current	21 A
Manufacturer	STMicroelectronics
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	90 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	50 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	158 mOhms
Rise Time	19 ns
RoHS	Details
Transistor Polarity	N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	62 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	500 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4 V
Вес, г	3.049