STP45N10F7, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 100 В, 45 А, 0.0145 Ом, TO-220AB, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2100 шт., срок 9-11 недель
2 140 ֏
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт. —
1 830 ֏
от 100 шт. —
1 490 ֏
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 12 840 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 100В 45A 60Вт 0,018Ом TO220
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0145Ом |
| Power Dissipation | 60Вт |
| Квалификация | - |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | STripFET F7 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 45А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 60Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0145Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 8 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 45 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 60 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 25 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 18 mOhms |
| Rise Time: | 17 ns |
| Series: | STP45N10F7 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | STripFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 24 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1183 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 6 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 10 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
