STP80N10F7, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 100 В, 80 А, 0.0085 Ом, TO-220AB, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
963 шт., срок 9-11 недель
3 250 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
2 850 ֏
от 100 шт. —
2 280 ֏
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 13 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
MOSFET, N-CH, 100V, 80A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0085ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V;
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0085Ом |
| Power Dissipation | 110Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | DeepGATE STripFET VII |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 80А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 110Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0085Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand | STMicroelectronics |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 13 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 80 A |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 110 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 45 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 10 mOhms |
| Rise Time | 32 ns |
| RoHS | Details |
| Series | N-channel STripFET |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 36 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 19 ns |
| Unit Weight | 0.01164 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.5 V |
| Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Datasheet STH80N10F7-2
pdf, 1361 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 6 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 10 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
