STP80NF55

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

814 шт., срок 9-11 недель

3 250 ֏

Мин. кол-во для заказа 4 шт.

от 10 шт. — 2 800 ֏

от 100 шт. — 2 320 ֏

Добавить в корзину 4 шт. на сумму 13 000 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8012547215

МОП-транзистор LGS LV МОП-транзистор

Id - непрерывный ток утечки	80 A
Pd - рассеивание мощности	300 W
Qg - заряд затвора	189 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	55 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	155 ns
Время спада	65 ns
Высота	15.75 mm
Длина	10.4 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	150 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STB80NF55, STP80NF55
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	125 ns
Типичное время задержки при включении	27 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.6 mm