STP9N65M2, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 5 А, 0.79 Ом, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
854 шт., срок 9-11 недель
1 650 ֏
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт. —
1 430 ֏
от 100 шт. —
1 160 ֏
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 11 550 ֏
Описание
МОП-транзистор N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in TO-220 package
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 60 W |
| Qg - заряд затвора | 10 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 900 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 6.6 ns |
| Время спада | 18 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Продукт | Power MOSFET |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | STP9N65M2 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 22.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.5 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Base Product Number | STP9N65 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 315pF @ 100V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.5A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | MDmeshв„ў -> |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 777 КБ
Datasheet STP9N65M2
pdf, 801 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 6 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 10 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
