STR2P3LLH6, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 30 В, 2 А, 0.048 Ом, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1260 шт., срок 9-11 недель
580 ֏
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
от 100 шт. —
320 ֏
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 11 600 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
| Channel Type | P Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.048Ом |
| Power Dissipation | 350мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | STripFET H6 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 2А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 350мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.048Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 2 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 56@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.5 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 350 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | STripFET |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | SOT |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Typical Fall Time (ns) | 3.4 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 6@4.5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 639@25V |
| Typical Rise Time (ns) | 5 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 19.2 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 5.4 |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 3.4 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 56 mOhms |
| Rise Time: | 5 ns |
| Series: | STR2P3LLH6 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | STripFET |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel Power MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19.2 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.4 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 6 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 10 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
