STW55NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600В, 0.047Ом, 51А [TO-247]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
22 шт. с центрального склада, срок 9 дней
10 200 ֏
от 15 шт. —
9 800 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 10 200 ֏
Описание
Mosfet Transistor, N Channel, 51 A, 600 V, 0.047 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 51 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±25 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.06 Ом/25.5А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 350 | |
Крутизна характеристики, S | 45 | |
Корпус | TO-247 | |
Пороговое напряжение на затворе | 3…5 | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Документация
pdf, 229 КБ
STW55NM60ND
pdf, 229 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 12 июля1 | бесплатно |
HayPost | 16 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг