STP4N80K5, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3А 60Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
249 шт. с центрального склада, срок 3 недели
1 100 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 11 шт. —
930 ֏
от 21 шт. —
860 ֏
от 50 шт. —
810 ֏
2 шт.
на сумму 2 200 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3А 60Вт
Технические параметры
Корпус | to-220 | |
Id - непрерывный ток утечки | 3 A | |
Pd - рассеивание мощности | 60 W | |
Qg - заряд затвора | 10.5 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.1 Ohms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V | |
Вид монтажа | Through Hole | |
Время нарастания | 15 ns | |
Время спада | 21 ns | |
Канальный режим | Enhancement | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Коммерческое обозначение | MDmesh | |
Конфигурация | Single | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 1000 | |
Серия | STP4N80K5 | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Тип транзистора | 1 N-Channel | |
Типичное время задержки выключения | 36 ns | |
Типичное время задержки при включении | 16.5 ns | |
Торговая марка | STMicroelectronics | |
Упаковка | Tube | |
Упаковка / блок | TO-220-3 | |
Brand | STMicroelectronics | |
Channel Mode | Enhancement | |
Configuration | Single | |
Factory Pack Quantity | 1000 | |
Fall Time | 21 ns | |
Id - Continuous Drain Current | 3 A | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | Through Hole | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Packaging | Tube | |
Pd - Power Dissipation | 60 W | |
Product Category | MOSFET | |
Qg - Gate Charge | 10.5 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 2.1 Ohms | |
Rise Time | 15 ns | |
RoHS | Details | |
Series | MDmesh K5 | |
Technology | Si | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel | |
Typical Turn-Off Delay Time | 36 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 16.5 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 3 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 2.5 Ω | |
Maximum Drain Source Voltage | 800 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V | |
Maximum Power Dissipation | 60 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V | |
Mounting Type | Through Hole | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | TO-220 | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V | |
Width | 4.6mm | |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1294 КБ
Datasheet
pdf, 1269 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet STP4N80K5
pdf, 1290 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 9 августа1 | бесплатно |
HayPost | 13 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг