Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STD3NK50ZT4, Транзистор полевой MOSFET ...

STD3NK50ZT4, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.3A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

999 шт. с центрального склада, срок 3 недели

484 ֏

Мин. кол-во для заказа 5 шт.

от 47 шт. — 401 ֏

от 93 шт. — 379 ֏

от 185 шт. — 352 ֏

5 шт. на сумму 2 420 ֏

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8000624340

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.3A

Технические параметры

Корпус	DPAK/TO-252AA
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant with Exemption
Lead Shape	Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A)	2.3
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	3300 10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	500
Maximum Gate Source Voltage (V)	±30
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	45000
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Packaging	Tape and Reel
Part Status	Active
PCB changed	2
Pin Count	3
PPAP	No
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	TO-252
Supplier Package	DPAK
Tab	Tab
Typical Fall Time (ns)	14
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	11
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	11 10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	280 25V
Typical Rise Time (ns)	13
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	24
Typical Turn-On Delay Time (ns)	8
Maximum Continuous Drain Current	2.3 A
Maximum Drain Source Resistance	3.3 Ω
Maximum Drain Source Voltage	500 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	45 W
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Package Type	DPAK(TO-252)
Series	MDmesh, SuperMESH
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	11 nC @ 10 V
Width	6.2mm
Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2500
Fall Time:	14 ns
Forward Transconductance - Min:	1.5 S
Id - Continuous Drain Current:	2.3 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-252-3
Pd - Power Dissipation:	45 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	11 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	2.8 Ohms
Rise Time:	13 ns
Series:	STD3NK50ZT4
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Type:	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time:	24 ns
Typical Turn-On Delay Time:	8 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	500 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
MSL(Уровень чувствительности к влажности)	1
Диапазон рабочих температур	-55…+150 °С
Емкость, пФ	280
Заряд затвора, нКл	15
Максимально допустимое напряжение	затвор-исток(Vgs)±30 В
Максимальное напряжение сток-исток, В	500
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А	2.3
Мощность	рассеиваемая(max)-45 Вт
Описание	N-Channel 500 V 2.3A(Tc)45W(Tc)Surface Mount DPAK
Способ монтажа	поверхностный(SMT)
Тип	MOSFET
Тип проводимости	N
Транспортная упаковка: размер/кол-во	584646/2500
Упаковка	REEL, 2500 шт.
Вес, г	0.66