STW21N90K5, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 18.5А 250Вт

Фото 1/2 STW21N90K5, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 18.5А 250Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
180 шт. с центрального склада, срок 3-4 недели
3 880 ֏
от 4 шт.3 440 ֏
от 7 шт.3 230 ֏
от 13 шт.3 050 ֏
1 шт. на сумму 3 880 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8000795124
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 18.5А 250Вт

Технические параметры

Корпус TO-247
Automotive No
Category Power MOSFET
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Life Cycle Active
Maximum Continuous Drain Current - (A) 18.5
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) 299@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V) 900
Maximum Gate Source Voltage - (V) ?30
Maximum Operating Temperature - (?C) 150
Maximum Power Dissipation - (mW) 250000
Military Qualified No
Minimum Operating Temperature - (?C) -55
Number of Elements per Chip 1
Package Family Name TO-247
Packaging Tube
Pin Count 3
Standard Package Name TO-247
Supplier Package TO-247
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) 43
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) 43@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) 1645@100V
Continuous Drain Current (Id) 18.5A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 299mΩ@9A, 10V
Drain Source Voltage (Vdss) 900V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 5V@100uA
Input Capacitance (Ciss@Vds) 1.645nF@100V
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 250W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) -
Total Gate Charge (Qg@Vgs) 43nC@10V
Type null
Вес, г 6.6

Техническая документация

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 12 августа1 бесплатно
HayPost 15 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг