STD155N3H6, Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
![Фото 1/2 STD155N3H6, Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R](https://static.chipdip.ru/lib/064/DOC006064800.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/162/DOC004162464.jpg)
4520 шт., срок 7-9 недель
890 ֏
Мин. кол-во для заказа 160 шт.
Добавить в корзину 160 шт.
на сумму 142 400 ֏
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 30V 80A Автомобильный 3-контактный (2 вывода) DPAK T / R
Технические параметры
Automotive | Yes |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 80 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 3 10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 110000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Obsolete |
PCB changed | 2 |
Pin Count | 3 |
PPAP | Unknown |
Process Technology | STripFET VI |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO-252 |
Supplier Package | DPAK |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 20 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 62 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 62 10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 3650 25V |
Typical Rise Time (ns) | 90 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 50 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 20 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet STD155N3H6
pdf, 949 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 23 августа1 | бесплатно |
HayPost | 27 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг