Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STP16NF06, Trans MOSFET N-CH 60V 16A ...

STP16NF06, Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

8683 шт., срок 7-9 недель

850 ֏

Мин. кол-во для заказа 160 шт.

Добавить в корзину 160 шт. на сумму 136 000 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8001039538

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETs

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 11А, 45Вт, TO220-3 Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
Lead Shape	Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A)	16
Maximum Diode Forward Voltage (V)	1.3
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	100@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	60
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)	100
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V)	4
Maximum IDSS (uA)	1
Maximum Operating Temperature (°C)	175
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)	20
Maximum Power Dissipation (mW)	45000
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)	64
Minimum Gate Threshold Voltage (V)	2
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Operating Junction Temperature (°C)	-55 to 175
Packaging	Tube
Part Status	Active
PCB changed	3
Pin Count	3
PPAP	No
Process Technology	STripFET II
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	TO-220
Supplier Package	TO-220AB
Tab	Tab
Typical Drain Source Resistance @ 25°C (mOhm)	80@10V
Typical Fall Time (ns)	6
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	10
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	10@10V
Typical Gate Plateau Voltage (V)	5.8
Typical Gate to Drain Charge (nC)	3.5@10V
Typical Gate to Source Charge (nC)	3.5
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	315@25V
Typical Output Capacitance (pF)	70
Typical Reverse Recovery Charge (nC)	88
Typical Reverse Recovery Time (ns)	50
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)	30@25V
Typical Rise Time (ns)	18
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	17
Typical Turn-On Delay Time (ns)	7
Id - непрерывный ток утечки	16 A
Pd - рассеивание мощности	45 W
Qg - заряд затвора	10 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	100 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	18 ns
Время спада	6 ns
Высота	9.15 mm
Длина	10.4 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	STripFET
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STP16NF06
Технология	Si
Тип	MOSFET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	17 ns
Типичное время задержки при включении	7 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.6 mm
Brand	STMicroelectronics
Factory Pack Quantity	1000
Fall Time	6 ns
Forward Transconductance - Min	6.5 S
Height	9.15 mm
Id - Continuous Drain Current	16 A
Length	10.4 mm
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature	+175 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-220-3
Pd - Power Dissipation	45 W
Rds On - Drain-Source Resistance	100 mOhms
Rise Time	18 ns
RoHS	Details
Series	N-channel STripFET
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	17 ns
Typical Turn-On Delay Time	7 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Width	4.6 mm
Maximum Continuous Drain Current	16 A
Maximum Drain Source Resistance	100 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Power Dissipation	45 W
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-220
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	10 nC @ 10 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Вес, г	1