LET9045, Trans RF MOSFET N-CH 80V 9A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
22 шт., срок 7-9 недель
38 000 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
4 шт.
на сумму 152 000 ֏
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\RF MOSFETs
Trans RF FET N-CH 65V 5A 3-Pin PowerSO-10RF (Формованный вывод) Трубка
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 5 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 65 |
| Maximum Frequency (MHz) | 1000 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 15 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 165 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 79000 |
| Maximum VSWR | 10(Min) |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Output Power (W) | 59(Typ) |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | LDMOS |
| Standard Package Name | PowerSO-10RF(Formed lead) |
| Supplier Package | PowerSO-10RF(Formed lead) |
| Typical Drain Efficiency (%) | 65 |
| Typical Forward Transconductance (S) | 2.5(Min) |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 59 28V |
| Typical Output Capacitance @ Vds (pF) | 28 28V |
| Typical Power Gain (dB) | 17.5 |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 0.8 28V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet LET9045
pdf, 204 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
