STP10P6F6, Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8000 шт., срок 7-9 недель
760 ֏
Мин. кол-во для заказа 200 шт.
Кратность заказа 50 шт.
от 2500 шт. —
710 ֏
Добавить в корзину 200 шт.
на сумму 152 000 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETs
Описание Транзистор P-МОП, полевой, -60В, -7,2А, 30Вт, TO220-3 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Lead Shape | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 10 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 160@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 30000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | STripFET |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 3.7 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 6.4 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 6.4@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 340@48V |
| Typical Rise Time (ns) | 5.3 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 14 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 64 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 10A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 48V |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power Dissipation (Max) | 30W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 5A, 10V |
| Series | DeepGATEв(ў, STripFETв(ў VI |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1216 КБ
Datasheet STP10P6F6
pdf, 1198 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 23 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 27 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
