STF10NM65N, Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1000 шт., срок 7-9 недель
1 600 ֏
Мин. кол-во для заказа 84 шт.
Добавить в корзину 84 шт.
на сумму 134 400 ֏
Технические параметры
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Obsolete |
| Product Category | Power MOSFET |
| Process Technology | MDmesh |
| Configuration | Single |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 650 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±25 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 9 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 480@10V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 25@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 25 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 850@50V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 25000 |
| Typical Fall Time (ns) | 20 |
| Typical Rise Time (ns) | 8 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 50 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 12 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Packaging | Tube |
| Automotive | No |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Supplier Package | TO-220FP |
| Military | No |
| Mounting | Through Hole |
| Package Height | 16.4(Max) |
| Package Length | 10.4(Max) |
| Package Width | 4.6(Max) |
| PCB changed | 3 |
| Tab | Tab |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet STF10NM65N
pdf, 520 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 23 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 27 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
